QJD1210010是派瑞克斯旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供QJD1210010現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供QJD1210010 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 500nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 800V |
| Power - Max | 1080W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
QJD1210010 是由 派瑞克斯 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 100A, 20V。
QJD1210010 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（5V @ 10mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（500nC @ 20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（10200pF @ 800V）、Power - Max（1080W）、Operating Temperature（-40°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 派瑞克斯：派瑞克斯（Powerex, Inc.）是一家在**電子元器件**領(lǐng)域享有盛譽(yù)的領(lǐng)先供應(yīng)商，以其卓越的創(chuàng)新能力和成本效益，致力于將客戶的創(chuàng)意轉(zhuǎn)化為高質(zhì)量的**電子元件**產(chǎn)品。公司專注于提供各類高功率半導(dǎo)體解決方案，涵蓋**分立式元器件**、**模塊化**及**集成式**產(chǎn)品，為全球眾多關(guān)鍵市場(chǎng)提供支持。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是派瑞克斯代理商，專業(yè)供應(yīng)QJD1210010等FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品。如您需要QJD1210010的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號(hào)信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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