QJD1210SA1是派瑞克斯旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供QJD1210SA1現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供QJD1210SA1 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 100A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 34mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8200pF @ 10V |
| Power - Max | 520W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
QJD1210SA1 是由 派瑞克斯 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 15V。
QJD1210SA1 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.6V @ 34mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（330nC @ 15V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（8200pF @ 10V）、Power - Max（520W）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 派瑞克斯：派瑞克斯（Powerex, Inc.）是一家在**電子元器件**領(lǐng)域享有盛譽(yù)的領(lǐng)先供應(yīng)商，以其卓越的創(chuàng)新能力和成本效益，致力于將客戶的創(chuàng)意轉(zhuǎn)化為高質(zhì)量的**電子元件**產(chǎn)品。公司專注于提供各類高功率半導(dǎo)體解決方案，涵蓋**分立式元器件**、**模塊化**及**集成式**產(chǎn)品，為全球眾多關(guān)鍵市場提供支持。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是派瑞克斯代理商，專業(yè)供應(yīng)QJD1210SA1等FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品。如您需要QJD1210SA1的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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