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LN60A01EP-LF 美信半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列
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LN60A01EP-LF 美信半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列

品牌:美信半導(dǎo)體 分類:FET、MOSFET 陣列 描述:MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP

美信半導(dǎo)體 LN60A01EP-LF FET、MOSFET 陣列

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration3 N-Channel, Common Gate
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs190Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Power - Max1.3W
Operating Temperature-20°C ~ 125°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / Case8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Supplier Device Package8-PDIP-7B

LN60A01EP-LF 美信半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

LN60A01EP-LF 是由 美信半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 3 N-Channel, Common Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 600V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 10mA, 10V。

LN60A01EP-LF 共有 12 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(1.2V @ 250μA)、Power - Max(1.3W)、Operating Temperature(-20°C ~ 125°C (TJ))、Mounting Type(Through Hole)、Package / Case(8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 美信半導(dǎo)體:Monolithic Power Systems(MPS,中文名:美信半導(dǎo)體)是一家領(lǐng)先的高性能集成電源解決方案提供商,致力于通過創(chuàng)新技術(shù)為全球電子產(chǎn)業(yè)提供至關(guān)重要的**元器件**。自成立以來,MPS始終專注于研發(fā)和生產(chǎn)小巧、高能效的**電子元件**,以滿足日益增長(zhǎng)的能源效率和空間限制需求。公司的主營(yíng)產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的電源管理**IC芯片**,包括AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換器、LED驅(qū)動(dòng)器、電池充電器以及各類電源管理集成電路,這些**IC芯片**在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演著核心角色。

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LN60A01EP-LF常見問題

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