MCCD2005-TP是微電子元件公司旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MCCD2005-TP現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供MCCD2005-TP datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 10V |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-WFDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | DFN2030-6 |
MCCD2005-TP 是由 微電子元件公司 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 20V 8A。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V。
MCCD2005-TP 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（17.9nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1800pF @ 10V）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。
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