DF11MR12W1M1B11BOMA1 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列

DF11MR12W1M1B11BOMA1 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

DF11MR12W1M1B11BOMA1 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET MODULE 1200V 50A。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V。

DF11MR12W1M1B11BOMA1 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（5.5V @ 20mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（125nC @ 5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（3950pF @ 800V）、Power - Max（20mW）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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