NTLLD4901NFTWG 安森美FET、MOSFET 陣列

NTLLD4901NFTWG 安森美FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

NTLLD4901NFTWG 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 6.3A。

NTLLD4901NFTWG 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（17.4mOhm @ 9A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.2V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（12nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（605pF @ 15V）、Power - Max（800mW, 810mW） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。

關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)者，致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營(yíng)產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號(hào)管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對(duì)客戶在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。

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