AO4616L_103 萬國半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列

AO4616L_103 萬國半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

AO4616L_103 是由 萬國半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 7.1A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.1A, 10V, 25mOhm @ 7.1A, 10V。

AO4616L_103 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250μA, 2.7V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（19.2nC @ 10V, 30.9nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1250pF @ 15V, 1573pF @ 15V）、Power - Max（2W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。

關(guān)于 萬國半導(dǎo)體：**萬國半導(dǎo)體 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：賦能高效能源應(yīng)用的功率半導(dǎo)體先驅(qū)**

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