AO4612L 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列

AO4612L 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

AO4612L 是由 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類(lèi)電子元器件。MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.2A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.2A, 10V。

AO4612L 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（540pF @ 30V, 1120pF @ 30V）、Power - Max（2W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。

關(guān)于 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體：**萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：賦能高效能源應(yīng)用的功率半導(dǎo)體先驅(qū)**

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