BSZ0910NDXTMA1 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列

BSZ0910NDXTMA1 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

BSZ0910NDXTMA1 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。DIFFERENTIATED MOSFETS。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 25A (Tc)。

BSZ0910NDXTMA1 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（9.5mOhm @ 9A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（5.6nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（800pF @ 15V）、Power - Max（1.9W (Ta), 31W (Tc)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。

關(guān)于 英飛凌科技：**英飛凌科技（Infineon Technologies）：驅(qū)動(dòng)未來電子世界的核心力量**

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