FDG6304P-F169 安森美FET、MOSFET 陣列
安森美 FDG6304P-F169 FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 410mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 62pF @ 10V |
| Power - Max | 300mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
FDG6304P-F169 安森美FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數與選型指南
FDG6304P-F169 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。INTEGRATED CIRCUIT。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 25V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)。
FDG6304P-F169 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（1.1Ohm @ 410mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.5V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1.5nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（62pF @ 10V）、Power - Max（300mW） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
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