F415MR12W2M1B76BOMA1 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列
英飛凌科技 F415MR12W2M1B76BOMA1 FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 75A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 30mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5520pF @ 800V |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | AG-EASY1B-2 |
F415MR12W2M1B76BOMA1 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
F415MR12W2M1B76BOMA1 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。LOW POWER EASY AG-EASY2B-2。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 4 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 75A, 15V。
F415MR12W2M1B76BOMA1 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（5.55V @ 30mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（186nC @ 15V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（5520pF @ 800V）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Chassis Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
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