MSCSM120HM16TBL3NG 微芯科技FET、MOSFET 陣列
微芯科技 MSCSM120HM16TBL3NG FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 6 N-Channel (Phase Leg) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 80A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 464nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6040pF @ 1000V |
| Power - Max | 560W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | - |
MSCSM120HM16TBL3NG 微芯科技FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
MSCSM120HM16TBL3NG 是由 微芯科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。PM-MOSFET-SIC-BL3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 80A, 20V。
MSCSM120HM16TBL3NG 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.8V @ 6mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（464nC @ 20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（6040pF @ 1000V）、Power - Max（560W）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球領(lǐng)先的**電子元器件**和**IC芯片**供應(yīng)商，以其創(chuàng)新的**微控制器**和**模擬半導(dǎo)體**解決方案，賦能全球數(shù)以萬計(jì)的客戶實(shí)現(xiàn)低風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)品開發(fā)、降低整體系統(tǒng)成本并加速產(chǎn)品上市進(jìn)程。公司總部位于美國亞利桑那州錢德勒，自成立以來，微芯科技始終致力于提供卓越的技術(shù)支持、可靠的交付和高品質(zhì)的產(chǎn)品，贏得了業(yè)界的廣泛贊譽(yù)。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是微芯科技代理商，專業(yè)供應(yīng)MSCSM120HM16TBL3NG等FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品。如您需要MSCSM120HM16TBL3NG的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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