DTB523YETL 羅姆半導(dǎo)體單個預(yù)偏置雙極晶體管
羅姆半導(dǎo)體 DTB523YETL 單個預(yù)偏置雙極晶體管
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 260 MHz |
| Power - Max | 150 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Supplier Device Package | EMT3 |
DTB523YETL 羅姆半導(dǎo)體單個預(yù)偏置雙極晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
DTB523YETL 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 單個預(yù)偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V、Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms。
DTB523YETL 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（140 @ 100mA, 2V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 5mA, 100mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（260 MHz）、Power - Max（150 mW） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 羅姆半導(dǎo)體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。
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