DTA113ZEFRATL 羅姆半導體單個預偏置雙極晶體管
羅姆半導體 DTA113ZEFRATL 單個預偏置雙極晶體管
DTA113ZEFRATL是羅姆半導體旗下的單個預偏置雙極晶體管 產品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供DTA113ZEFRATL現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供DTA113ZEFRATL datasheet數據手冊下載、規(guī)格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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規(guī)格參數
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Power - Max | 150 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Supplier Device Package | EMT3 |
DTA113ZEFRATL 羅姆半導體單個預偏置雙極晶體管 - 規(guī)格參數與選型指南
DTA113ZEFRATL 是由 羅姆半導體 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。PNP DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Resistor - Base (R1): 1 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V。
DTA113ZEFRATL 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 500μA, 10mA）、Frequency - Transition（250 MHz）、Power - Max（150 mW）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（SC-75, SOT-416） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是羅姆半導體代理商，專業(yè)供應DTA113ZEFRATL等單個預偏置雙極晶體管 產品。如您需要DTA113ZEFRATL的datasheet數據手冊、規(guī)格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯系我們獲取技術支持。
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