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MMBTRC101SS 泰迪半導(dǎo)體單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管
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MMBTRC101SS 泰迪半導(dǎo)體單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管

品牌:泰迪半導(dǎo)體 分類:單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 描述:DIGITAL TR SOT-23 50V 100MA
¥0.21

泰迪半導(dǎo)體 MMBTRC101SS 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)4.7 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic-
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition200 MHz
Power - Max200 mW
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)

MMBTRC101SS 泰迪半導(dǎo)體單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

MMBTRC101SS 是由 泰迪半導(dǎo)體 制造的 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 類電子元器件。DIGITAL TR SOT-23 50V 100MA。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms。

MMBTRC101SS 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(30 @ 10mA, 5V)、Current - Collector Cutoff (Max)(500nA)、Frequency - Transition(200 MHz)、Power - Max(200 mW)、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。

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MMBTRC101SS常見(jiàn)問(wèn)題

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