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BCR148WH6327 英飛凌科技單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 現(xiàn)貨圖片

BCR148WH6327 英飛凌科技單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管

品牌：英飛凌科技 分類：單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 描述：BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR

英飛凌科技 BCR148WH6327 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Frequency - Transition100 MHz
Power - Max250 mW
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-70, SOT-323
Supplier Device PackagePG-SOT323-3-1

BCR148WH6327 英飛凌科技單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

BCR148WH6327 是由 英飛凌科技 制造的 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 類電子元器件。BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 47 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms。

BCR148WH6327 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（70 @ 5mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 500μA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（100nA (ICBO)）、Frequency - Transition（100 MHz）、Power - Max（250 mW） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。

關(guān)于 英飛凌科技：**英飛凌科技（Infineon Technologies）：驅(qū)動(dòng)未來電子世界的核心力量**

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BCR148WH6327常見問題

BCR148WH6327的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)在哪里下載？
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BCR148WH6327有現(xiàn)貨庫(kù)存嗎？哪里可以買BCR148WH6327？
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如何獲取BCR148WH6327的最新價(jià)格報(bào)價(jià)？
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BCR148WH6327的規(guī)格參數(shù)有哪些？有哪些替代型號(hào)？
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是英飛凌科技的代理商和供應(yīng)商嗎？
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