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UNR511600L是松下旗下的單個預偏置雙極晶體管 產(chǎn)品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供UNR511600L現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供UNR511600L datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價,發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Power - Max | 150 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Supplier Device Package | SMini3-G1 |
UNR511600L 是由 松下 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V。
UNR511600L 共有 13 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic(250mV @ 300μA, 10mA)、Current - Collector Cutoff (Max)(500nA)、Frequency - Transition(150 MHz)、Power - Max(150 mW)、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
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