FJV3111RMTF 安森美單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管

FJV3111RMTF 安森美單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

FJV3111RMTF 是由 安森美 制造的 單個(gè)預(yù)偏置雙極晶體管 類(lèi)電子元器件。TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V、Resistor - Base (R1): 22 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V。

FJV3111RMTF 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 1mA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（100nA (ICBO)）、Frequency - Transition（250 MHz）、Power - Max（200 mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)者，致力于賦能客戶(hù)實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營(yíng)產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類(lèi)別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號(hào)管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過(guò)其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對(duì)客戶(hù)在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。

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