MJD32C-TP 微電子元件公司單雙極晶體管
微電子元件公司 MJD32C-TP 單雙極晶體管
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50μA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
| Power - Max | 1.25 W |
| Frequency - Transition | 3MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | D-Pak |
MJD32C-TP 微電子元件公司單雙極晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
MJD32C-TP 是由 微電子元件公司 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PNP 100V 3A DPAK。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 3 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A、Current - Collector Cutoff (Max): 50μA。
MJD32C-TP 共有 13 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（10 @ 3A, 4V）、Power - Max（1.25 W）、Frequency - Transition（3MHz）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
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