XN0431100L 松下雙極晶體管陣列，預偏置
松下 XN0431100L 雙極晶體管陣列，預偏置
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規(guī)格參數
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 150MHz, 80MHz |
| Power - Max | 300mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Supplier Device Package | MINI6-G1 |
XN0431100L 松下雙極晶體管陣列，預偏置 - 規(guī)格參數與選型指南
XN0431100L 是由 松下 制造的 雙極晶體管陣列，預偏置 類電子元器件。TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 10kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms。
XN0431100L 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（35 @ 5mA, 10V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（250mV @ 300μA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（150MHz, 80MHz）、Power - Max（300mW） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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