BCR119SE6327BTSA1 英飛凌科技雙極晶體管陣列，預(yù)偏置

BCR119SE6327BTSA1 英飛凌科技雙極晶體管陣列，預(yù)偏置 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

BCR119SE6327BTSA1 是由 英飛凌科技 制造的 雙極晶體管陣列，預(yù)偏置 類電子元器件。TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 4.7kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V。

BCR119SE6327BTSA1 共有 12 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 500μA, 10mA）、Frequency - Transition（150MHz）、Power - Max（250mW）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（6-VSSOP, SC-88, SOT-363） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。

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