UMC4N-TP 微電子元件公司雙極晶體管陣列，預偏置
微電子元件公司 UMC4N-TP 雙極晶體管陣列，預偏置
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規(guī)格參數
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms, 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 150mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Supplier Device Package | SOT-353 |
UMC4N-TP 微電子元件公司雙極晶體管陣列，預偏置 - 規(guī)格參數與選型指南
UMC4N-TP 是由 微電子元件公司 制造的 雙極晶體管陣列，預偏置 類電子元器件。TRANSISTOR。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms。
UMC4N-TP 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（68 @ 5mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 500μA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（250MHz）、Power - Max（150mW） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是微電子元件公司代理商，專業(yè)供應UMC4N-TP等雙極晶體管陣列，預偏置 產品。如您需要UMC4N-TP的datasheet數據手冊、規(guī)格參數詳情或替代型號信息，歡迎聯系我們獲取技術支持。
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