HBDM60V600X-7 德利通雙極晶體管陣列
德利通 HBDM60V600X-7 雙極晶體管陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP (H-Bridge) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V, 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA, 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 200mW |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
HBDM60V600X-7 德利通雙極晶體管陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
HBDM60V600X-7 是由 德利通 制造的 雙極晶體管陣列 類(lèi)電子元器件。FUNCTIONAL ARRAY SOT363 T&R 3K。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (H-Bridge)、Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, 500mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, 80V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, 50nA。
HBDM60V600X-7 共有 12 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V）、Power - Max（200mW）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（6-TSSOP, SC-88, SOT-363） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。
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