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BFS481H6327XTSA1 英飛凌科技雙極射頻晶體管
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BFS481H6327XTSA1 英飛凌科技雙極射頻晶體管

品牌:英飛凌科技 分類:雙極射頻晶體管 描述:RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
¥5.98

英飛凌科技 BFS481H6327XTSA1 雙極射頻晶體管

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
Transistor Type2 NPN (Dual)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)12V
Frequency - Transition8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gain20dB
Power - Max175mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 5mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max)20mA
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device PackagePG-SOT363-PO

BFS481H6327XTSA1 英飛凌科技雙極射頻晶體管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

BFS481H6327XTSA1 是由 英飛凌科技 制造的 雙極射頻晶體管 類電子元器件。RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Transistor Type: 2 NPN (Dual)、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V、Frequency - Transition: 8GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz、Gain: 20dB。

BFS481H6327XTSA1 共有 13 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max(175mW)、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(70 @ 5mA, 8V)、Current - Collector (Ic) (Max)(20mA)、Operating Temperature(150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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