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CMHD3595 TR PBFREE 中央半導(dǎo)體單二極管
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CMHD3595 TR PBFREE 中央半導(dǎo)體單二極管

品牌:中央半導(dǎo)體 分類:單二極管 描述:DIODE GEN PURP 150V 150MA SOD123
¥5.40

中央半導(dǎo)體 CMHD3595 TR PBFREE 單二極管

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)150 V
Current - Average Rectified (Io)150mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 200 mA
SpeedSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)3 μs
Current - Reverse Leakage @ Vr1 nA @ 125 V
Capacitance @ Vr, F8pF @ 0V, 1MHz
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSOD-123
Supplier Device PackageSOD-123
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C

CMHD3595 TR PBFREE 中央半導(dǎo)體單二極管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

CMHD3595 TR PBFREE 是由 中央半導(dǎo)體 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE GEN PURP 150V 150MA SOD123。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V、Current - Average Rectified (Io): 150mA、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA、Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed。

CMHD3595 TR PBFREE 共有 13 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Reverse Recovery Time (trr)(3 μs)、Current - Reverse Leakage @ Vr(1 nA @ 125 V)、Capacitance @ Vr, F(8pF @ 0V, 1MHz)、Mounting Type(Surface Mount)、Package / Case(SOD-123) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 中央半導(dǎo)體:Central Semiconductor,中文名「中央半導(dǎo)體」,自1974年起,便致力于為全球電子產(chǎn)品制造創(chuàng)新型分立式半導(dǎo)體元器件。作為業(yè)界資深的電子元件制造商,中央半導(dǎo)體在數(shù)十年的發(fā)展歷程中,憑借其卓越的技術(shù)實力和對品質(zhì)的不懈追求,贏得了廣泛的市場認(rèn)可。其核心產(chǎn)品線涵蓋了種類繁多的電子元件,包括但不限于標(biāo)準(zhǔn)及定制化的小信號晶體管、雙極功率晶體管、MOSFETs、二極管、整流器、保護(hù)器件、限流二極管、橋式整流器、晶閘管,以及前沿的碳化硅(SiC)器件。這些高質(zhì)量的IC芯片和分立半導(dǎo)體元件,是現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的組成部分。

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CMHD3595 TR PBFREE常見問題

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