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FES10D 安森美單二極管
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FES10D 安森美單二極管

品牌:安森美 分類:單二極管 描述:DIODE GEN PURP 200V 10A TO277-3
¥10.30

安森美 FES10D 單二極管

FES10D是安森美旗下的單二極管 產(chǎn)品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供FES10D現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供FES10D datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價,發(fā)貨速度快。

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusNot For New Designs
TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Current - Average Rectified (Io)10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If950 mV @ 10 A
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr5 μA @ 200 V
Capacitance @ Vr, F140pF @ 4V, 1MHz
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-277, 3-PowerDFN
Supplier Device PackageTO-277-3
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

FES10D 安森美單二極管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

FES10D 是由 安森美 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE GEN PURP 200V 10A TO277-3。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Not For New Designs、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V、Current - Average Rectified (Io): 10A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A、Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)。

FES10D 共有 13 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Reverse Recovery Time (trr)(30 ns)、Current - Reverse Leakage @ Vr(5 μA @ 200 V)、Capacitance @ Vr, F(140pF @ 4V, 1MHz)、Mounting Type(Surface Mount)、Package / Case(TO-277, 3-PowerDFN) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

關于 安森美:安森美(onsemi)作為全球領先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動者,致力于賦能客戶實現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局,為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別,包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分,安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合,有效應對客戶在各種復雜設計挑戰(zhàn)中遇到的難題。

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FES10D常見問題

FES10D的datasheet數(shù)據(jù)手冊在哪里下載?
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FES10D的規(guī)格參數(shù)有哪些?有哪些替代型號?
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是安森美的代理商和供應商嗎?
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