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IDM02G120C5XTMA1 英飛凌科技單二極管
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IDM02G120C5XTMA1 英飛凌科技單二極管

品牌:英飛凌科技 分類:單二極管 描述:DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO252-2
¥22.25

英飛凌科技 IDM02G120C5XTMA1 單二極管

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
TechnologySiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Current - Average Rectified (Io)2A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.65 V @ 2 A
SpeedNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr18 μA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F182pF @ 1V, 1MHz
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackagePG-TO252-2
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C

IDM02G120C5XTMA1 英飛凌科技單二極管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

IDM02G120C5XTMA1 是由 英飛凌科技 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO252-2。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V、Current - Average Rectified (Io): 2A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)。

IDM02G120C5XTMA1 共有 13 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Reverse Recovery Time (trr)(0 ns)、Current - Reverse Leakage @ Vr(18 μA @ 1200 V)、Capacitance @ Vr, F(182pF @ 1V, 1MHz)、Mounting Type(Surface Mount)、Package / Case(TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

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IDM02G120C5XTMA1常見問題

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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是英飛凌科技的代理商和供應商嗎?
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