
IDW30G65C5XKSA1 英飛凌科技單二極管
英飛凌科技 IDW30G65C5XKSA1 單二極管
IDW30G65C5XKSA1是英飛凌科技旗下的單二極管 產品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供IDW30G65C5XKSA1現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供IDW30G65C5XKSA1 datasheet數據手冊下載、規(guī)格參數查閱及替代型號推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價,發(fā)貨速度快。
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規(guī)格參數
| Product Status | Active |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 30 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 220 μA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr, F | 860pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
IDW30G65C5XKSA1 英飛凌科技單二極管 - 規(guī)格參數與選型指南
IDW30G65C5XKSA1 是由 英飛凌科技 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V、Current - Average Rectified (Io): 30A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)。
IDW30G65C5XKSA1 共有 13 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Reverse Recovery Time (trr)(0 ns)、Current - Reverse Leakage @ Vr(220 μA @ 650 V)、Capacitance @ Vr, F(860pF @ 1V, 1MHz)、Mounting Type(Through Hole)、Package / Case(TO-247-3) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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