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XBZ12A120CR-G 拓力半導(dǎo)體單齊納二極管
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XBZ12A120CR-G 拓力半導(dǎo)體單齊納二極管

品牌:拓力半導(dǎo)體 分類:單齊納二極管 描述:DIODE ZENER 12V 137.5MW 2USP

拓力半導(dǎo)體 XBZ12A120CR-G 單齊納二極管

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusObsolete
Voltage - Zener (Nom) (Vz)12 V
Tolerance±5%
Power - Max137.5 mW
Impedance (Max) (Zzt)25 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr100 nA @ 9.1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 10 mA
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case0302 (0805 Metric)
Supplier Device Package2-USP-B02 (0.8x0.5)

XBZ12A120CR-G 拓力半導(dǎo)體單齊納二極管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

XBZ12A120CR-G 是由 拓力半導(dǎo)體 制造的 單齊納二極管 類電子元器件。DIODE ZENER 12V 137.5MW 2USP。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V、Tolerance: ±5%、Power - Max: 137.5 mW、Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms、Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 9.1 V。

XBZ12A120CR-G 共有 11 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If(1 V @ 10 mA)、Operating Temperature(150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount)、Package / Case(0302 (0805 Metric))、Supplier Device Package(2-USP-B02 (0.8x0.5)) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 拓力半導(dǎo)體:Torex Semiconductor Ltd.,中文名為拓力半導(dǎo)體,是一家在全球電子元器件市場享有盛譽(yù)的領(lǐng)先企業(yè),尤其專注于為電池供電和追求極致能效的應(yīng)用提供高性能的CMOS電源管理集成電路(IC芯片)。拓力半導(dǎo)體深耕于CMOS模擬技術(shù)領(lǐng)域,憑借其在低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)、電壓檢測器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等核心產(chǎn)品線上的卓越表現(xiàn),贏得了廣大工程師和制造商的信賴。其獨特之處在于,通過精密的激光修整技術(shù),拓力半導(dǎo)體能夠提供高達(dá)1%甚至2%的高精度電子元件,并且許多器件支持以0.05V的微小步進(jìn)進(jìn)行電壓調(diào)節(jié),為設(shè)計者提供了前所未有的靈活性和精確控制能力,這在任何需要精確電壓軌的精密設(shè)備中都至關(guān)重...

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