STPSC15H12G2Y-TR 意法半導體單二極管
意法半導體 STPSC15H12G2Y-TR 單二極管
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 15A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 15 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 90 μA @ 1200 V |
| Capacitance @ Vr, F | 1200pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | D2PAK HV |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
STPSC15H12G2Y-TR 意法半導體單二極管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
STPSC15H12G2Y-TR 是由 意法半導體 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE SIL CARB 1.2KV 15A D2PAK。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V、Current - Average Rectified (Io): 15A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A、Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)。
STPSC15H12G2Y-TR 共有 13 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Reverse Recovery Time (trr)（0 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（90 μA @ 1200 V）、Capacitance @ Vr, F（1200pF @ 0V, 1MHz）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 意法半導體：意法半導體是一家全球獨立的半導體公司，是開發(fā)和提供微電子應用領域半導體解決方案的領導者。公司結合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識、制造實力、知識產(chǎn)權（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關系，使其在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術的前沿占據(jù)領先地位，其產(chǎn)品在推動當今的融合趨勢中發(fā)揮著關鍵作用。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是意法半導體代理商，專業(yè)供應STPSC15H12G2Y-TR等單二極管 產(chǎn)品。如您需要STPSC15H12G2Y-TR的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術支持。
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