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XBW1SS400-G 拓力半導(dǎo)體單二極管
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XBW1SS400-G 拓力半導(dǎo)體單二極管

品牌:拓力半導(dǎo)體 分類:單二極管 描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD523P
¥0.34

拓力半導(dǎo)體 XBW1SS400-G 單二極管

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
TechnologyStandard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)80 V
Current - Average Rectified (Io)100mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.2 V @ 100 mA
SpeedSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr100 nA @ 80 V
Capacitance @ Vr, F0.5pF @ 0V, 1MHz
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-79, SOD-523
Supplier Device PackageSOD-523P
Operating Temperature - Junction150°C

XBW1SS400-G 拓力半導(dǎo)體單二極管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

XBW1SS400-G 是由 拓力半導(dǎo)體 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD523P。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V、Current - Average Rectified (Io): 100mA、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA、Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed。

XBW1SS400-G 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Reverse Recovery Time (trr)(4 ns)、Current - Reverse Leakage @ Vr(100 nA @ 80 V)、Capacitance @ Vr, F(0.5pF @ 0V, 1MHz)、Mounting Type(Surface Mount)、Package / Case(SC-79, SOD-523) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 拓力半導(dǎo)體:Torex Semiconductor Ltd.,中文名為拓力半導(dǎo)體,是一家在全球電子元器件市場享有盛譽(yù)的領(lǐng)先企業(yè),尤其專注于為電池供電和追求極致能效的應(yīng)用提供高性能的CMOS電源管理集成電路(IC芯片)。拓力半導(dǎo)體深耕于CMOS模擬技術(shù)領(lǐng)域,憑借其在低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)、電壓檢測器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等核心產(chǎn)品線上的卓越表現(xiàn),贏得了廣大工程師和制造商的信賴。其獨(dú)特之處在于,通過精密的激光修整技術(shù),拓力半導(dǎo)體能夠提供高達(dá)1%甚至2%的高精度電子元件,并且許多器件支持以0.05V的微小步進(jìn)進(jìn)行電壓調(diào)節(jié),為設(shè)計(jì)者提供了前所未有的靈活性和精確控制能力,這在任何需要精確電壓軌的精密設(shè)備中都至關(guān)重...

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XBW1SS400-G常見問題

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